手机存储将再上一层 三星宣布量产1TB eUFS 2.1闪存

汇通网2019年1月30日消息 相比苹果的保守,三星在硬件配置的升级上就显得要激进很多,尤其是在内存的提升上,完全可以用一年一个台阶来形容。然而无论如何发展,智能手机就是智能手机,它的硬件配置都无法和电脑等设备相媲美。不过这只是过去,随着三星1TB eUFS 2.1闪存的问世,智能手机的内存将得到再一次提升。

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据三星官方消息,三星电子于今天宣布,已开始批量生产业界首款1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1。据三星官方披露,该芯片能够为下一代移动设备带来更出色的使用体验。这意味着,要不了多久智能手机很快就会迎来媲美电脑的存储空间。

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据悉,该存储器基于三星第五代 V-NAND 技术打造而成,由16层512Gb的V-NAND闪存(基于第五代)配合新开发的专属控制器,尺寸与上一代512GB(11.5mm*13mm)的产品相同,为11.5mm x13mm,可提供多20倍的存储容量,速度是典型 microSD 存储卡的 10倍,特别适合数据密集型应用场景。

性能方面,该存储器将支持UFS 2.1规范,连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58K IOPS、随机写入为50K IOPS。三星称,随机速度的提升有助于手机相机表现,比如拍摄960帧慢动作视频。

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三星计划于 2019 上半年,在韩国 Pyeongtaek 工厂扩大第五代 512Gb V-NAND 的产量,以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 的强劲需求。三星Galaxy S10系列将于2月21日发布。从时间上来看,S10系列是来不及用上刚出炉的1TB UFS,那么于下半年推出的Note10系列则有可能成为首款支持 1TB eUFS 的机型。

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